Impianto vuoto


 


Impianto vuoto

Scopo del processo

La fase principale nella costruzione dei dispositivi elettronici è quella nota come drogaggio del silicio. Drogare significa introdurre quantità controllate di impurezze di tipo N o P, nelle zone dei wafer di silicio precedentemente delineate con le operazioni di mascheratura.

L'introduzione di queste sostanze permette di alterare la resistività del materiale. Modificando la resistività del materiale si modifica il suo comportamento elettrico.

Note storiche

L'impiantazione Ionica fu inventata poco tempo dopo l'invenzione del transistor (1951). Un brevetto di Shockley risale al 1954 e descrive potenzialmente tutti gli aspetti dell'Impiantazione Ionica.

Questa tecnica venne utilizzata nella fabbricazione dei dispositivi solo molto tempo dopo, ciò essenzialmente per due motivi:

necessità di apparecchiature grandi e costose;danneggiamento da radiazione. Impianto Elettrico           -Impianto Motore           -Impianto Idarulico         Navigare col Tempo non favorevole.

Le prime applicazioni risalgono alla fine degli anni '60. Lindhard, Scharff, Schiott svilupparono contemporaneamente la teoria dell'Impiantazione Ionica: la cosidetta teoria LSS.

A partire dagli anni '70, la tecnica dell'Impiantazione ha trovato un impiego sempre maggiore nella tecnologia dei semiconduttori. La tecnica dell'impianto ionico è oggi largamente utilizzata nel campo dell'elettronica. Le ragioni di questo sviluppo sono economicità e caratteristiche tecnologiche. Esso permette infatti la realizzazione di dispositivi:

con minor consumo energetico;con rese di produzione più elevate in ragione al fatto che il processo è eseguito sotto vuoto e quindi risente in minor misura di contaminazioni da elementi chimici indesiderati;con risparmio di componenti chimici essendo un processo a secco e quindi ecologicamente anche preferibile.
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